氮化硅薄膜窗格

SHNTI的X-射線薄膜窗能夠實現軟X-射線（如真空紫外線）的zui大透射率。主要用于同步輻射X射線透射顯微成像時承載樣品。 X-射線越軟（能量越低），穿透能力越差，所需氮化硅薄膜窗越薄。特別在“離軸”狀態工作（即薄膜與光束成一定角度）時，也需要較薄的薄膜窗口，便于X射線更好地穿透。
SHNTI提供的氮化硅薄膜窗口是利用現代MEMS技術制備而成，由于此種氮化硅窗口選用低應力氮化硅（0-250MP）薄膜，因此比計量式和ST氮化硅薄膜更堅固耐用。SHNTI提供的氮化硅薄膜窗口非常適合應用于透射成像和透射能譜等廣泛的科學研究領域，例如，X-射線（上海光源透射成像/能譜線站）、TEM、SEM、IR、UV等。
現在SHNTI可以提供X-射線顯微成像/能譜（同步輻射）用氮化硅薄膜窗系列產品，規格如下：
外框尺寸 （4種標準規格）:

5 mm x 5 mm （窗口尺寸：1.0 mm 或和 1.5 mm 方形）

7.5 mm x 7.5 mm （窗口尺寸：2.0 mm 或 2.5 mm）

10 mm x 10 mm （窗口尺寸：3.0 mm 或 5 mm 方形）

邊框厚度： 200μm、381μm、525μm。 
Si3N4薄膜厚度：50、100、150和200nm
SHNTI也可以為用戶定制產品（30-500nm），但要100片起訂。

本產品為一次性產品，SHNTI不建議用戶重復使用，本產品不能進行超聲清洗，適合化學清洗、輝光放電和等離子體清洗。

氮化硅薄膜窗口系列
SN-LDE-505-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：50nm 
SN-LDE-510-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：100nm
SN-LDE-515-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：150nm
SN-LDE-520-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：200nm
SN-LDE-705-25 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：2.5×2.5mm，膜厚：50nm 
SN-LDE-710-25 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：2.5×2.5mm，膜厚：100nm
SN-LDE-715-25 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：2.5×2.5mm，膜厚：150nm
SN-LDE-720-25 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：2.5×2.5mm，膜厚：200nm
SN-LDE-105-30 氮化硅薄膜窗口，框架：10×10mm，窗口：3×3mm，膜厚：50nm
SN-LDE-110-30 氮化硅薄膜窗口，框架：10×10mm，窗口：3×3mm，膜厚：100nm
SN-LDE-115-30 氮化硅薄膜窗口，框架：10×10mm，窗口：3×3mm，膜厚：150nm
SN-LDE-120-30 氮化硅薄膜窗口，框架：10×10mm，窗口：3×3mm，膜厚：200nm
氮化硅薄膜窗口陣列系列
SN-AR-522-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，2×2陣列，膜厚：50nm
SN-AR-733-15 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：1.5×1.5mm，3×3陣列；膜厚：50nm  
SN-AR-1044-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：100nm 
氧化硅薄膜窗口系列
SO-505-15 氧化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：50nm 
SO-510-15 氧化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：100nm
SO-520-15 氧化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：150nm
SO-705-25 氧化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：1.5×1.5mm，3×3陣列，膜厚：50nm 
SO-710-25 氧化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：1.5×1.5mm，3×3陣列，膜厚：100nm
SO-720-25 氧化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：1.5×1.5mm，3×3陣列，膜厚：200nm
氮化硅薄膜窗口系列
SN-1010-2-AU10 氮化硅基底框架：10×10mm，窗口：2×2mm，膜厚：100nm，金膜厚度：10nm 
SN-1020-2-AU10 氮化硅基底框架：10×10mm，窗口：2×2mm，膜厚：200nm，金膜厚度：10nm
SN-710-2-AU10 氮化硅基底框架：7.5×7.5mm，窗口：2×2mm，膜厚：100nm，金膜厚度：10nm 
SN-720-2-AU10 氮化硅基底框架：7.5×7.5mm，窗口：2×2mm，膜厚：200nm，金膜厚度：10nm
特殊定制產品
SN-5H5-15 氮化硅基底框架：5×5mm，硅片厚度：200um，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：500nm 
SN-5H10-15 氮化硅基底框架：5×5mm，硅片厚度：200um，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：1000nm 
SN-LDE-4-10 氮化硅片100nm-4英寸整張，10×10mm切片 

襯底厚度：200um 溫度范圍：1000℃ 真空適應：1個大氣壓
厚度可以選擇：200um，381um，525um，需要提前說明。

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