晶圓翹曲應(yīng)力測量儀

優(yōu)勢

√ 全口徑均勻采樣測量，采樣間隔最少可至0.1mm

√ 同時具備翹曲測量及應(yīng)力測量功能

√ 直觀展現(xiàn)薄膜導(dǎo)致的晶圓形變，可計算任意角度的曲率及應(yīng)力

√ 強(qiáng)大的附加模塊：薄膜應(yīng)力變溫測量模塊（室溫到500℃）

√豐富的軟件分析功能，包括：三維翹曲圖、晶圓翹曲參數(shù)統(tǒng)計（BOW，WARP等）、ROI分 析、薄膜應(yīng)力及分布、應(yīng)力隨時間變化、薄膜應(yīng)力變溫測量、曲率計算、多項式擬合、空間濾波等多種后處理算法。

適用對象

2 - 8 英寸/12 英寸拋光晶圓（硅、砷化鎵、碳化硅等）、圖形化晶圓、鍵合晶圓、封裝晶圓等；液晶基板玻璃；各類薄膜工藝處理的表面

適用領(lǐng)域

√ 半導(dǎo)體及玻璃晶圓的生產(chǎn)和質(zhì)量檢查

√ 半導(dǎo)體薄膜工藝的研究與開發(fā)

√ 半導(dǎo)體制程和封裝減薄工藝的過程控制和故障分析

檢測原理

√ 晶圓制程中會在晶圓表面反復(fù)沉積薄膜，基板與薄膜材料特性的差異導(dǎo)致晶圓翹曲，翹曲和薄膜應(yīng)力會對工藝良率產(chǎn)生重要影響

√ 采用結(jié)構(gòu)光反射成像方法測量晶圓的三維翹曲分布，通過翹曲曲率半徑測量來推算薄膜應(yīng)力分布，具有非接觸、免機(jī)械掃描和高采樣率特點，晶圓全口徑測量時間低于30s

√ 通過Stoney公式及相關(guān)模型計算晶圓薄膜應(yīng)力分布

晶圓翹曲應(yīng)力測量儀